Infineon investiert in Villach in eine neue Generation energieeffizienter Leistungshalbleiter. Die geplante Anlage verarbeitet Galliumnitrid auf 300-Millimeter-Wafern in hohen Stückzahlen. Damit erweitert das Unternehmen seine Fertigungskompetenz für anspruchsvolle Stromversorgungsanwendungen erheblich. Bis 2034 beläuft sich das Investitionsvolumen auf etwa 1,1 Milliarden Euro. Genutzt werden vorhandene Reinräume, die gezielt modernisiert und erweitert werden. Die Produktion soll Ende 2027 anlaufen. Der Ausbau erfolgt flexibel entsprechend der Nachfrage in relevanten Märkten.
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Großformatige Wafer bilden Grundlage für Infineons GaN-Hochvolumenproduktion in Villach
Infineon schafft in Villach eine neue Produktionsstruktur für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter. Kern der Anlage sind 300-Millimeter-Wafer für die industrielle Serienfertigung. Der große Durchmesser erlaubt die parallele Bearbeitung zahlreicher einzelner Chips. Damit verbessert sich die Grundlage für hohe Produktionsvolumina und effiziente Prozesse. Die Fertigung unterstützt den Übergang von GaN in weitere Leistungsanwendungen. Gleichzeitig wird technisches Wissen über Materialien, Prozesse und Bauelemente gebündelt. Villach baut seine globale Position als Standort für Leistungshalbleiter weiter aus.
Infineon plant Kapazitätsausbau ohne vollständigen Neubau der Reinräume vorerst
Am bestehenden Standort setzt Infineon auf die Modernisierung verfügbarer Reinräume. Diese Entscheidung nutzt etablierte technische Grundlagen für die Fertigungserweiterung unmittelbar. Neue Gebäude und deren vollständige Infrastruktur sind nicht vorrangig notwendig. Dadurch sinken Kosten für Bauarbeiten Planung und Standorterschließung deutlich insgesamt. Die freiwerdenden Mittel können in Produktionsausrüstung und Prozesse fließen gezielt. Der Ausbau bleibt skalierbar weil die Nachfrage seine Geschwindigkeit bestimmt. Villach erhält damit zusätzliche Kapazitäten ohne unnötige bauliche Doppelstrukturen langfristig.
Galliumnitrid verbessert Leistungsfähigkeit von Stromversorgungen für anspruchsvolle Anwendungen deutlich
Galliumnitrid-Komponenten unterstützen Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften beschleunigen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung erschließt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Infineon investiert bis 2034 1,1 Milliarden Euro in GaN
Der Produktionsanlauf für GaN-Leistungshalbleiter in Villach ist bei Infineon für Ende 2027 geplant. Insgesamt sollen bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in die Fertigung investiert werden. Der Hersteller richtet die einzelnen Ausbauschritte an der realen Nachfrage aus. Dies bedeutet, dass neue Kapazitäten nicht ausschließlich nach einem vorgegebenen Investitionskalender entstehen. Stattdessen werden Produktionsvolumen und Anlagenbelegung an die Entwicklung des Marktes angepasst. So bleibt der Hochlauf wirtschaftlich steuerbar und kann langfristig flexibel erfolgen.
Förderung stärkt europäische Versorgung mit modernen GaN-Leistungshalbleitern langfristig deutlich
Die finanzielle Beteiligung der Europäischen Union beträgt 319 Millionen Euro und erfolgt über den Europäischen Chips Act. Sie unterstützt die Errichtung einer hochskalierbaren Fertigung für Leistungshalbleiter in Villach. Das Förderinstrument zielt darauf, Schlüsseltechnologien stärker innerhalb Europas zu entwickeln und zu produzieren. Mit der zusätzlichen Kapazität verbessert sich die Basis für eine unabhängiger organisierte Versorgung der Industrie. Außerdem kann die Maßnahme den Technologietransfer fördern, Produktionsnetzwerke verdichten und die europäische Halbleiterindustrie stabilisieren.
Der Standort Villach erhält eine Fertigung für großvolumige GaN-Chips künftig. Dafür werden vorhandene Reinräume modernisiert und Prozesse neu eingerichtet gezielt. Das reduziert Kosten gegenüber einem vollständig neuen Fabrikgebäude erheblich deutlich. Die geplanten Kapazitäten wachsen nur bei entsprechender Marktentwicklung weiter an. Die Halbleiter verbessern Stromversorgungen in Servern Fahrzeugen und Anlagen wesentlich. Ihre Effizienz unterstützt die Senkung elektrischer Verluste in Schlüsselbranchen nachhaltig. Die europäische Förderung stärkt Versorgungssicherheit und technologische Unabhängigkeit gleichermaßen dauerhaft.
